Vishay E 系列功率 MOSFET 可減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 4.4 A |
| 最大漏源電壓 | 850 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.35. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 4 |