Vishay MOSFET 是 N 溝道, TO-220-3 封裝,是一種新時代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 600V ,最大柵極源電壓為 30V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 1.20mohm 的漏 - 源電阻。MOSFET 的最大功耗為 125W。 該產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。
?指定有效余弦
?完全特征化的電容和雪崩電壓和電流
?改進的柵極,雪崩和動態(tài) dV/dt
?無鉛 (Pb) 組件
?低柵極電荷 Qg 可實現(xiàn)簡單的驅(qū)動要求
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?高速功率切換
?開關(guān)模式電源 (SMPS)
? UPS(不間斷電源)