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Infineon IRF9410TRPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRF9410TRPBF 品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問題。在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

International Rectifier 的第五代 HEXFETS 利用最新工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。此優(yōu)勢(shì)結(jié)合 HEXFET 功率 MOSFET 著名的快速切換速度和耐震器件設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)人員提供極其高效和可靠的器件，適用于廣泛的應(yīng)用。SO-8 經(jīng)改良通過自定義引線框增強(qiáng)熱特性和多模能力，特別適合各種電源應(yīng)用。憑借這些改進(jìn)，用戶可以在應(yīng)用中使用多個(gè)設(shè)備，顯著減少板空間。該封裝設(shè)計(jì)用于汽相、紅外線或波峰焊接技術(shù)。

低 RDS（接通）
行業(yè)領(lǐng)先的質(zhì)量
動(dòng)態(tài) dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	7 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SO
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	50 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	2.5 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	±20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	4mm
長(zhǎng)度	5mm
典型柵極電荷@Vgs	18 nC @ 10 V
最高工作溫度	+150 °C

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