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Infineon IPI80N03S4L03AKSA1 MOSFET

訂貨號：IPI80N03S4L03AKSA1 品牌：英飛凌_Infineon

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Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管，可減少 CO2 并采用電力驅(qū)動。新的 OptiMOS? -T2 產(chǎn)品系列擴(kuò)展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增強(qiáng)模式
AEC 合格
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	80 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	I2PAK (TO-262)
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	2.4 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2.2V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	136 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-16 V、+16 V
寬度	4.52mm
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	110 nC @ 10 V
最高工作溫度	+175 °C
長度	10.36mm
晶體管材料	Si

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