Infineon 旨在為當(dāng)今特別是未來回掃拓?fù)涞内厔萏峁┓?wù),全新 700V coolmos ? P7 超結(jié) mosfet 系列通過提供與當(dāng)今使用的超結(jié)技術(shù)相比的基本性能提升來滿足低功率的 smp 市場,例如手機(jī)充電器或筆記本電腦適配器。700V coolmos ? P7 將客戶的反饋與 20 多年的超結(jié) mosfet 經(jīng)驗(yàn)相結(jié)合,使其最適合以下目標(biāo)應(yīng)用:
允許高速切換
集成保護(hù)齊納二極管
優(yōu)化的 3V v ( gs ) th 、極窄容差為 ±0.5 v
精細(xì)分級產(chǎn)品組合
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 6 A |
最大漏源電壓 | 700 V |
封裝類型 | Ipak sl (至 251 sl ) |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 900 米Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |