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訂 貨 號(hào):SI2308BDS-T1-E3 品牌:威世_Vishay
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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Vishay 表面安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 60V ,最大柵極源電壓為 20V。在 10V 的柵極源電壓下,漏極 - 源電阻為 156mohm。它的最大額定功率為 1.66W ,連續(xù)漏極電流為 2.3A。此晶體管的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 4.5V 和 10V。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會(huì)影響性能或功能。
? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET
?蓄電池開關(guān)
?直流 / 直流轉(zhuǎn)換器
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC 61249-2-21
?經(jīng)過 RG 測試
? UIS 測試
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 2.1 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-23 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.192 O |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |