P 通道 150V (D-S) MOSFET 。
具有 ThunderFET 技術的 TrenchFET ?
極低的 RDS (on) 可最大限度地減少傳導造成的功率損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 16.2 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | PowerPak 1212-S |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 125 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 65.8 瓦 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 3.3mm |
| 長度 | 3.3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14.6 nC @ 10 V |
