此新一代 N 溝道增強模式 MOSFET 設計旨在最大程度減少 RDS（接通）損耗但保持卓越的切換性能。此器件特別適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關。
額定溫度值為 +175°C - 特別適用于高環境溫度環境
100% 非鉗制電感切換 - 確保更可靠和堅固的端應用
低 RDS（接通）- 可最大程度減少通態損耗
快速切換速度
應用
電動機控制
直流 - 直流轉換器
電源管理
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 123（穩定）A，87（狀態）A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 11.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 166 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 5.1mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 6mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 56.4 nC @ 10V |
