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訂 貨 號(hào):SIHB17N80E-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

Vishay e 系列功率 mosfet 具有低品質(zhì)因數(shù)( fom ) ron x qg 和低輸入電容( ciss )。
超低柵極電荷 (Qg)
雪崩能量等級(jí)( uis )
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 15 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.29 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |