the Infineon 600V coolmos ? P7 系列 n 溝道功率 mosfet 。它具有極低的切換和傳導損耗、使切換應用更高效、更緊湊且更涼爽。coolmos ? 7th 代平臺是一項革命性技術，適用于高電壓功率的高功率功率器件，設計符合超結（ sj ）原理，并由 Infineon 技術開創。
適用于硬切換和軟切換（ pfc 和 llc ） 由于卓越的換向堅固性
顯著減少切換和傳導損耗
出色的 esd 穩定性 >2kV （ hbm ）、適用于所有產品
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 9 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | To -220 fullpak 寬爬電距離 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.36. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
