Infineon IPTC015N10NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分,采用直插式 TOP 側(cè)冷卻封裝,可提供卓越的熱性能。此創(chuàng)新型封裝結(jié)合 OptiMOS 5 技術(shù)的主要功能,使杰出產(chǎn)品具有 100 V 電壓以及 300 A 的高電流額定值,適用于高功率密度設(shè)計。通過 TOP 側(cè)面冷卻設(shè)置,排放器暴露在封裝表面, 95% 的散熱可直接提升到散熱器,與收費封裝相比, RthJA 性能提高 20% , RthJC 性能提高 50%。通過 Toll 或 D2PAK 等底部散熱封裝,熱量通過印刷電路板散熱到散熱器,導(dǎo)致高功率損耗。
負支架
在冷卻系統(tǒng)中節(jié)省成本
提高系統(tǒng)效率,延長電池壽命
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 354 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | PG-HDSOP-16. |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 16 |
最大漏源電阻值 | 0.0015 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.8V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |