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產(chǎn)品分類

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Infineon IPN95R1K2P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPN95R1K2P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPN95R1K2P7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 設(shè)計(jì)用于滿足高電壓 MOSFET 領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求,最新的 950V CoolMOS ? P7 技術(shù)專注于低功率 SMPS 市場(chǎng)。與前代產(chǎn)品 900V CoolMOS ? C3 相比, 950V CoolMOS ? P7 系列提供 50V 的阻塞電壓,在效率,熱行為和易用性方面提供卓越的性能。與所有其他 P7 系列成員一樣, 950V CoolMOS ? P7 系列隨附集成齊納二極管 ESD 保護(hù)。集成二極管顯著提高了 ESD 的穩(wěn)定性,從而減少了與 ESD 相關(guān)的產(chǎn)量損失并達(dá)到卓越的的易用性級(jí)別。CoolMOS ? P7 設(shè)計(jì)采用 3V 杰出 VGS (th) 和僅 ± 0.5V 的窄容差,易于驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)。

3V 的杰出 VGS (th) 和 ±0.5V 的最小 VGS (th) 變化
集成齊納二極管 ESD 保護(hù),高達(dá) 2 類 (HBM)
杰出質(zhì)量和可靠性


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 6 A
最大漏源電壓 950 V
封裝類型 PG-SOT223
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.12. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
每片芯片元件數(shù)目 4
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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