Toshiba TK099V65Z,LQ(S MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息
Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切換特性和較低的電容。它主要用于開關(guān)電源。
低漏 - 源導(dǎo)通電阻 0.08 ?
存儲溫度 -55 至 150°c
| 屬性 |
數(shù)值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續(xù)漏極電流 |
30 A |
| 最大漏源電壓 |
650 V |
| 封裝類型 |
DFN8x8 |
| 引腳數(shù)目 |
5 |
| 最大漏源電阻值 |
0.09. Ω |
| 通道模式 |
增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 |
4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 |
1 |
| 晶體管材料 |
硅 |