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Infineon mos ?設計是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術，它是根據超級連接（ sj ）原理設計的，由 Infineon 技術公司率先開發(fā)的。cool mos ? P6 系列結合了領先的 sj mosfet 供應商的經驗和一流的創(chuàng)新。提供的器件具有快速切換 sj mosfet 的所有優(yōu)點、同時不會降低易用性。極低的切換和傳導損耗使切換應用更高效、更緊湊、更輕、更涼爽。

mosfet dv/dt 穩(wěn)定增加
由于 fom rdson*qg 和 eoss 極低的損耗
非常高的換向堅固性
無鉛鍍層無鹵模制化合物