Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時代的產品，漏極源電壓為 60V ，最大柵極源電壓為 20V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 15.5mohm 的漏 - 源電阻。它具有 50A 的連續漏極電流和 136W 的最大功耗。 此晶體管的最小和最大驅動電壓分別為 4.5V 和 10V。它可用于汽車應用。MOSFET 經優化可降低開關和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會影響性能或功能。
? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 175°C
?低熱阻封裝
? TrenchFET 功率 MOSFET
?適配器開關
?負載開關
? AEC-Q101
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
?經過 RG 測試
? UIS 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 50 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.02 O |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
