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Infineon IPD50N06S2L13ATMA2 MOSFET

訂 貨 號:IPD50N06S2L13ATMA2      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPD50N06S2L13ATMA2 MOSFET
產品詳細信息

此 Infineon mosfet 具有高電流容量、開關和傳導功率損耗最低的優點、可實現最高的熱效率。它經過 100% 雪崩測試。

經過優化的總柵極電荷可實現更小的驅動器輸出級


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 50 A
最大漏源電壓 55 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.0127. Ω
最大柵閾值電壓 2V
每片芯片元件數目 1
暫無

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