優點：
低 RDS（接通）
動態 dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度
金屬氧化物半導體場效應晶體管或 MOSFET 是用于放大或切換電子信號的晶體管。
氧化物絕緣的柵極上的電壓可在其它兩個觸點（稱作源極和漏極）之間感應出一個導電通道。該通道可為 N 型或 P 型。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 10 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 12 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| 長度 | 5mm |
