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Infineon Optimos 5 功率 MOSFET 是 N 溝道 MOSFET，具有非常低的導通電阻和卓越的熱阻。此設備不含 Pb（鉛）和鹵素。它采用表面安裝、PG-HSOF-8 封裝。

Vds（漏極至源極電壓）為 150 V
Rds（最大接通）為 4.4 毫歐姆，ID 為 174 A
Qdss 和 Qg 值分別為 188 nC 和 67 nC