80 V，單個 N 通道 Trench MOSFET，N 通道增強模式場效應晶體管 (FET) 采用無引線中等功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
Trench MOSFET 技術
小型無引線超薄型 SMD 塑料封裝：2 x 2 x 0.65 mm
裸露的散熱墊，用于提供極佳的熱傳導
100% 鍍錫可焊接側墊，用于光學焊接檢驗
符合 AEC-Q101
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2.8 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | DFN2020MD-6，SOT1220 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 445 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.7V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 15.6 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 每片芯片元件數目 | 3 |
| 長度 | 2.1mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 2.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
