具有快速主體二極管的 EF 系列功率 MOSFET 。
第四代 E 系列技術
低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容（ CO （ ER ））
應用
服務器和電信電源
開關模式電源 (SMPS)
功率因數校正電源 (PFC)
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 19 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 201 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 156 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 21 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 6.73mm |
| 寬度 | 6.22mm |
