此新一代 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 設(shè)計(jì)旨在最大程度減少 RDS(接通)損耗但保持卓越的切換性能。此器件特別適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開關(guān)。
100% 非鉗制電感切換 - 確保更可靠和堅(jiān)固的端應(yīng)用
低 RDS(接通)- 可最大程度減少通態(tài)損耗
快速切換速度
應(yīng)用
電動機(jī)控制
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
電源管理
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 113(穩(wěn)定)A,90(狀態(tài))A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 11.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 139 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 長度 | 6mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 56.4 nC @ 10V |
| 寬度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |