Littlefuse IXTT220N20X4HV MOSFET 設計采用最新的超接點技術，適用于高效電源應用。它們提供 TO-247 和 TO-268HV 封裝。它們可同時提供更低的 RDS (接通) 和更低的柵極和輸出電荷，從而在給定頻率下實現更高效的切換。
低柵極電荷
低 RDS（接通）
低 RthJC
工作溫度為 175°C
高耐雪崩等級 (900mJ - 1J)
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 220 A |
| 最大漏源電壓 | 200 V |
| 封裝類型 | 至 -268-3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0055 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 每片芯片元件數目 | 3 |
