P 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET ? Gen IV P 通道功率 MOSFET
在散熱增強型緊湊封裝中提供超低 RDS (on)
支持更高的功率密度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 108 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerPak 1212-S |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 5.8 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 65.7 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V ， +16 V |
| 寬度 | 3.3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 76 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 3.3mm |
