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訂 貨 號(hào):DMN62D1LFB-7B 品牌:Diodes
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

此新一代 MOSFET 設(shè)計(jì)旨在最大程度減少通態(tài)電阻(RDS(接通))并保持卓越的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應(yīng)用。
低接通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
ESD 保護(hù)
完全無(wú)鉛
無(wú)鹵素和無(wú)銻。“綠色”設(shè)備
應(yīng)用
負(fù)載開關(guān)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 325(狀態(tài))mA,407(穩(wěn)定)mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | X1-DFN1006 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 3 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 0.67mm |
| 長(zhǎng)度 | 1.07mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.45 nC @ 4.5V |