Vishay 半導體 SI2374DS-T1-GE3 是 3 引腳， 20 V ， 5。9 A ，表面安裝 N 通道 MOSFET 通常用于負載開關和電源管理。
無鹵，符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET
通過 100 % Rg 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 5.9 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | SOT-363 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 41 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 1.7 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±8 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 13.4 nC @ 10 V |
| 寬度 | 1.4mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 3.04mm |
