Vishay n 溝道 40 v （ d-s ） 150 °c mosfet 采用 powerpak so-8 封裝類型。
trench場 效應第四代功率 mosfet
調諧至最低 rds-qoss fom
經過 100% rg 和 uis 測試
qgd/qgs 比 < 1 優化了切換特性
經優化可用于波焊
柔性引線可提高對板彎曲的彈性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 81.2 a |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | Powerpak so-8 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0035. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 1 → 2.4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
