P 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET ? Gen IV P 通道功率 MOSFET
熱增強型 PowerPak ? SC-70 封裝
極低的 RDS(on) x 區域最大程度地減少了有限印刷電路板占地面積的功率損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 30.3 a. |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerPAK SC-70 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 19.2 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V ， +16 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 2.15mm |
| 長度 | 2.15mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
