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訂 貨 號(hào):SIHG21N80AE-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

E 系列功率 MOSFET 。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容( CO ( ER ))
減少切換和傳導(dǎo)損耗
應(yīng)用
服務(wù)器和電信電源
開關(guān)模式電源 (SMPS)
功率因數(shù)校正電源 (PFC)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 17.4 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | TO-247AC |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 235 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 32 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 寬度 | 5.31mm |
| 長(zhǎng)度 | 15.87mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 48 nC @ 10 V |