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Vishay SI1029X-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SI1029X-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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Vishay SI1029X-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

雙 N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N，P
最大連續(xù)漏極電流 190 mA，300 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 SOT-523 (SC-89)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 3 Ω、8 Ω
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 250 mW
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 1700 nC @ 15 V，750 nC @ 4.5 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 1.7mm
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 1.7mm
晶體管材料 Si
暫無

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