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Vishay SIHP8N50D-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SIHP8N50D-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

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公司基本資料信息







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Vishay SIHP8N50D-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 MOSFET，D 系列高電壓，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 8.7 A
最大漏源電壓 500 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 850 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 156 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長度 10.51mm
典型柵極電荷@Vgs 15 nC @ 10 V
寬度 4.65mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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