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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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Infineon IPP80P03P4-05 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IPP80P03P4-05      品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPP80P03P4-05 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設(shè)計(jì)用于提供增強(qiáng)功能，以滿(mǎn)足高質(zhì)量性能要求。功能包括超低開(kāi)關(guān)損耗，通態(tài)電阻，雪崩額定值以及通過(guò)AEC認(rèn)證的汽車(chē)解決方案。應(yīng)用包括DC-DC，電機(jī)控制，汽車(chē)和eMobility。

增強(qiáng)模式
耐雪崩等級(jí)
低切換和傳導(dǎo)功率損耗
無(wú)鉛引線電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
OptiMOS?P通道系列：溫度范圍為-55°C至+175°C

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 P
最大連續(xù)漏極電流 80 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類(lèi)型 TO-220
安裝類(lèi)型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 137 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 10mm
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 100 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
寬度 4.4mm
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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