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Infineon IRFL014NTRPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRFL014NTRPBF 品牌：國(guó)際整流器_IR

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

Infineon IRFL014N 是 55V 單 N 通道紅外 MOSFET ，采用 SOT-223 封裝。此設(shè)備具有 Advanced 處理技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。

表面安裝
Advanced 工藝技術(shù)
超低接通電阻

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	2.7 A
最大漏源電壓	55 V
封裝類型	SOT-223
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3+Tab
最大漏源電阻值	160 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	2.1 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長(zhǎng)度	6.7mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si
典型柵極電荷@Vgs	7 nC @ 10 V
寬度	3.7mm

暫無

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