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Infineon SPD08P06PGBTMA1 MOSFET

訂貨號：SPD08P06PGBTMA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS^? 小信號 P 通道 MOSFET 具有多種功能，可能包括增強(qiáng)模式、連續(xù)漏極電流（約低至 80A）及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應(yīng)用，包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設(shè)備以及汽車工業(yè)。

· 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)（請參閱數(shù)據(jù)表）
· 無鉛引線電鍍，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	8.83 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	300 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2.1V
最大功率耗散	42 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
寬度	6.22mm
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	10 nC @ 10 V
最高工作溫度	+175 °C
長度	6.73mm

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