Microchip DN2625 是低閾值消耗模式（常開）MOSFET 晶體管，采用高級垂直 DMOS 結構。 該設計將 Bipolar 晶體管的功率處理能力與高輸入阻抗和正溫度系數 MOS 設備相結合。
低柵極閾值電壓
設計用于電源驅動
低切換損耗
低有效輸出電容
設計用于電感性負載
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 1.1 A |
| 最大漏源電壓 | 250 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 3.5 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 5.1mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
