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MagnaChip MDD1903RH MOSFET

訂 貨 號：MDD1903RH      品牌：

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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公司基本資料信息







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MagnaChip MDD1903RH MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

低電壓 (LV) MOSFET

這些低電壓 (LV) MOSFET 提供低通態(tài)電阻和快速切換性能。

MOSFET 晶體管，MagnaChip


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 12.8 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 110 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 36.8 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 6.73mm
典型柵極電荷@Vgs 8.8 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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