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德州儀器 CSD19536KTTT MOSFET

訂 貨 號：CSD19536KTTT      品牌：

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德州儀器 CSD19536KTTT MOSFET
產品詳細信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶體管，Texas Instruments


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 272 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 2.8 mΩ
通道模式 增強
最大功率耗散 375 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數目 1
寬度 9.65mm
典型柵極電荷@Vgs 118 nC @ 0 V
長度 10.67mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +175 °C
暫無

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