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Fairchild Semiconductor FDB060AN08A0 MOSFET

訂 貨 號:FDB060AN08A0      品牌:IRC

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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Fairchild Semiconductor FDB060AN08A0 MOSFET
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PowerTrench? N 通道 MOSFET,超過 60A,F(xiàn)airchild Semiconductor

半導體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 80 A
最大漏源電壓 75 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 13 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 255 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 10.67mm
寬度 11.33mm
典型柵極電荷@Vgs 73 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
暫無

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