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onsemi BSS138 MOSFET

訂 貨 號(hào)：BSS138      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi BSS138 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

增強(qiáng)模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 220 mA
最大漏源電壓 50 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 3.5 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.5V
最小柵閾值電壓 0.8V
最大功率耗散 360 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
寬度 1.3mm
長(zhǎng)度 2.92mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 1.7 nC @ 10 V
暫無

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