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onsemi NDT451AN MOSFET

訂貨號：NDT451AN 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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增強(qiáng)模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。這種高密度工藝設(shè)計用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。

on ON Semiconductor NDT451AN 是功率型安全模 n 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管、采用高細(xì)胞密度、極高密度、極高密度技術(shù)制造而成。此超高密度過程專門定制、有效減少通態(tài)電

高功率和電流處理能力、采用廣泛使用的表面安裝封裝

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	7.2 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SOT-223
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3 + Tab
最大漏源電阻值	90 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	3 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs	19 nC @ 10 V
寬度	3.7mm
長度	6.7mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si

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