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Infineon BSC22DN20NS3GATMA1 MOSFET

訂 貨 號:BSC22DN20NS3GATMA1      品牌:GAT

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Infineon BSC22DN20NS3GATMA1 MOSFET
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Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 7 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 TDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 225 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 34 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數目 1
長度 5.35mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V
寬度 6.35mm
暫無

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