1PMT5.0AT1G/T3G 系列設計用于保護電壓敏感組件，以抵抗高電壓和高能量瞬變。 極佳的鉗位能力、高浪涌能力、低齊納阻抗和快速響應時間。
峰值功率：200W @ 1 ms (1PMT5.0A ? 1PMT36A)
最高鉗位電壓 @ 峰值脈沖電流
低泄漏
響應時間通常為 < 1ns
3 類 ESD 等級> (16kV)/個人體模型
薄型 - 最大高度 1.1mm
整體式散熱片/鎖定插片
全金屬底部,可消除通量截留
小體積 - 占用面積 8.45mm2
POWERMITE 在 JEDEC 注冊為 DO-216AA
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 二極管配置 | 單路 |
| 方向類型 | 單向 |
| 最大鉗位電壓 | 53.3V |
| 最小擊穿電壓 | 36.7V |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝類型 | POWERMITE |
| 最大反向待機電壓 | 33V |
| 引腳數目 | 2 |
| 峰值脈沖功率耗散 | 200W |
| 最大峰值脈沖電流 | 3.8A |
| ESD保護 | 是 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最低工作溫度 | -55 °C |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 尺寸 | 2.05 x 2.18 x 1.15mm |
