SFH610A 和 SFH6106 具有高電流傳輸比、低耦合電容和高隔離電壓。這些耦合器具有 GaAs 紅外二極管發射器，它可與硅平面光電晶體管探測器光學耦合，并采用塑料 DIP-4 或 SMD 封裝。該耦合裝置設計用于在兩個電氣分離的電路之間傳輸信號。耦合器末端可堆疊，間距為 2.54 mm。通過選項 6 和選項 8 實現了 > 8.0 mm 的爬電距離和間隙。
良好的 CTR 線性度取決于正向電流
隔離測試電壓，5300 V 有效值
高集電極發射極電壓，VCEO = 70 V
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 安裝類型 | 通孔安裝 |
| 輸出設備 | 光電晶體管 |
| 最大正向電壓 | 1.65V |
| 通道數目 | 1 |
| 針數目 | 4 |
| 封裝類型 | DIP |
| 輸入電流類型 | 直流 |
| 典型上升時間 | 2μs |
| 最大輸入電流 | 60 mA |
| 隔離電壓 | 5.3 kVrms |
| 最大電流傳輸比 | 80% |
| 典型下降時間 | 11μs |
| 最小電流傳輸率 | 13 %, 40 % |
